第三代半导体是指以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石为主要代表的宽禁带半导体材料，其中以碳化硅和氮化镓最具代表性。

对于半导体来说，禁带宽度越大，工作频率也就越大，越能耐高压、耐高温。因此，第三代半导体具备适应在高频、高压、高温的环境下使用的特点，其应用场景包括新能源汽车、5G通讯、智能电网、国防军工、航空航天等领域。

I.行业概览

三代半导体概述：第一代半导体材料以硅、锗为主，引发了以集成电路为核心的微电子领域的迅速发展；第二代半导体材料是化合物半导体，以砷化镓、磷化铟为主，被广泛用于光通讯、光显示、移动通讯等领域；第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石为代表，其中，碳化硅满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，氮化镓则被认为是超高频器件的绝佳选择。

三代半导体之间的关系：第三代半导体与第一代、第二代半导体之间并不是相互替代的关系；第三代半导体有其擅长的领域，在特定的区域内性能优于硅、锗等传统半导体材料，但在特定区域之外，硅仍然占据王者地位。

第三代半导体战略地位：第三代半导体材料的重要性和战略地位在世界范围内得到广泛重视，属于国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业，存在国产替代发展机遇。

核心难点：第三代半导体核心难点在于材料制备；我国在第三代半导体的技术水平和国际先进水平差距不如硅基半导体大。

II.碳化硅

产业链：包括单晶衬底、外延、芯片/器件生产（设计、制造、封装测试等）、下游应用四大环节；其中衬底是技术壁垒最高的环节，所占成本也最高。

应用场景：可广泛应用于风电、铁路等大型交通工具，及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域，其中新能源汽车是SiC功率器件最大的应用领域。

市场规模：根据Yole数据及预测，SiC市场2019年规模为5.4亿美元，预计将于2025年达到25.6亿美元，CAGR达到30.3%。

竞争格局：市场主要被海外企业占据，国内企业份额较小。

发展趋势：扩产、提高晶片质量及尺寸。

III.氮化镓

产业链：包括单晶衬底、外延、芯片/器件生产（设计、制造、封装测试等）、下游应用四大环节。

应用场景：在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的应用前景。

市场规模：（1）根据YOLE预测，GaN射频器件市场规模将从2019年的9亿美元增长到2024年的24亿美元，复合增速达到21%；（2）氮化镓功率器件市场规模将从2019年的5.3亿美金增长到2024年18亿美金，复合增速29%。

竞争格局：海外主导的寡头市场，CR3高达84%。

发展趋势：扩产、提高晶片质量及尺寸。

IV.投资策略&机构布局

投资逻辑：第三代半导体尚处于起步发展阶段，行业全面放量仍需时间，优选：（1）优选材料制造类企业，或者器件产品已进入终端客户的企业；（2）优选原主业有稳定现金流延伸至第三代半导体业务的企业，或者有大资本投资加持的第三代半导体企业；（3）优选规模大、有技术积累沉淀的企业。

机构布局：详见报告全文。

因涉及非公开数据和保密要求，如需详细报告，经确认保密义务及责任可联系我司索取：info@jbzfund.com。