I.行业研究

战略背景：美国对华科技打压、国产化率低、国产替代。

基本概念：离子注入是指将加速到一定高能量的离子束注入材料表面层内，以改变表面层物理和化学性质。在半导体中注入杂质原子（如在硅中注入硼、磷或砷等），可改变其表面电导率或形成PN结。离子注入机与光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备同列为四大集成电路制造关键制程设备，是集成电路制造中不可或缺的一环。

运行原理：离子注入机包含离子源部分，能从源材料中产生带正电荷的杂质离子。离子被吸出，然后用质量分析仪筛选出需要掺杂的离子的束流。离子束在电场中加速，获得很高的速度，使离子有足够的动能注入到硅片的晶格结构中，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。束流扫描整个硅片，使硅片表面均匀掺杂。

分类：按能量高低可分为：低能离子注入机、中能离子注入机、高能离子注入机和兆伏离子注入机。按束流大小可分为：小束流离子注入机、中束流离子注入机、大束流离子注入机。

各类离子注入机中低能大束流技术难度最高，市场占比最大，高达61%。

关键技术节点：角度控制、剂量控制、能量控制等。

市场现状：大陆晶圆厂逆周期扩产，国内集成电路设备采购大潮已到来，半导体设备需求维持高位，离子注入机存较大替代空间。数据显示，全球离子注入机市场规模在2022年约为206亿元，预计2023年增至211亿元，增速2.4%；国内市场方面，2022年离子注入机市场规模为66亿元，2023年有望增至74亿元，增速高于全球平均值。

竞争格局：全球离子注入机市场主要由美国厂商垄断，美国应用材料占据全球约70%的市场规模。

发展趋势：随着国家政策支持和对发展半导体产业的决心，产业基金和社会资本的不断投入，加之美国不断断供先进制程进口设备，国内半导体产业必将不断迭代、成熟、深化，国产前道制造关键高端设备包括离子注入机的发展前景明朗。

II.投资逻辑

重点关注技术能力、商业化能力。

见正文。

IV.结语

鉴于国家安全、技术自主可控、产业升级等核心诉求，半导体核心装备包括离子注入机在内的半导体前道制造关键设备景气度持续走高，国产替代势在必行。我们希望借此研究报告，较为全面地梳理离子注入机行业的技术原理、市场格局、行业参与者等内容，并将持续追踪行业发展动向。

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